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第三代半導體將寫入“十四五規(guī)劃”，這些上市公司有涉及
楊潔
A股又來一個新名詞“第三代半導體”。
9月4日，第三代半導體板塊逆勢領漲A股各板塊，多家公司上漲5%以上。乾照光電、聚燦光電漲停，臺基股份漲逾10%，三安光電漲逾8%。
日前，在南京世界半導體大會暨第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰（金麒麟分析師）論壇上，國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲透露：國家2030計劃和“十四五”國家研發(fā)計劃都已經(jīng)明確，第三代半導體是重要發(fā)展方向，現(xiàn)在到了動議討論實施方案的階段。
什么是第三代半導體？
據(jù)悉，第一代半導體材料是硅（Si），間接帶隙，窄帶隙；第二代半導體材料是砷化鎵（GaAs），直接帶隙，窄帶隙；第三代半導體材料目前比較成熟的有碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等，寬禁帶，全組分直接帶隙。
來源：方正證券
第三代半導體材料具有高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，可以實現(xiàn)更好電子濃度和運動控制，特別是在苛刻條件下備受青睞，在5G、新能源汽車、消費電子、新一代顯示、航空航天等領域有重要應用。
今年年初，小米發(fā)布65W氮化鎵快充，其風頭甚至蓋過了小米10手機主角的風頭，第三代半導體也由此一度成為網(wǎng)紅。
更重要的是，第三代半導體切中新基建的種種需求。5G建設進一步加速了氮化鎵射頻器件的應用，據(jù)賽迪顧問數(shù)據(jù)，氮化鎵射頻器件已經(jīng)成為5G時代較大基站功率放大器的候選技術(shù)。
幾臺車一起快速充電需要達到幾百千瓦的功率，一個電動汽車充電站更是要達到百萬瓦的功率，傳統(tǒng)的硅基功率器件體積較大，但碳化硅模塊則可以實現(xiàn)以很小的體積滿足功率上的嚴苛要求。
安芯基金首席戰(zhàn)略官周貞宏表示，第三代半導體碳化硅和氮化鎵都處于產(chǎn)業(yè)即將爆發(fā)階段，相當于70年代的硅的狀態(tài)。中國有巨大的市場大規(guī)模投入，在第三代半導體材料生長（創(chuàng)新方法）、工藝處理（提高利用率和成品率）、設計應用（結(jié)構(gòu)性能成本）、封裝測試（材料工藝散熱）等環(huán)節(jié)都存在巨大機會。
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟秘書長于昆山表示，2020年是第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵窗口期。以5G、新能源汽車、能源互聯(lián)網(wǎng)、消費類電子、新一代顯示、紫外等應用市場啟動為契機，已經(jīng)完成布局并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)和地區(qū)將首先收獲成果。而受國際環(huán)境變化因素影響，正在加緊布局的企業(yè)特別是新組建的企業(yè)和新建產(chǎn)業(yè)園需要重新審視可能存在的風險。
國內(nèi)廠商積極布局
根據(jù)申港證券統(tǒng)計，僅2020年一季度國內(nèi)就有多個第三代半導體項目有新的進展。2020 年 3 月，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地、積塔6英寸碳化硅生產(chǎn)線兩個項目開始投產(chǎn)。一季度，和通訊（徐州）第三代半導體產(chǎn)業(yè)基地、綠能芯創(chuàng)碳化硅芯片項目以及博方嘉芯氮化鎵射頻及功率器件項目三個項目開工；泰科天潤運營總部及碳化硅器件生產(chǎn)基地項目、高啟電子氮化鎵外延片項目等多個項目實現(xiàn)簽約。
隨著第三代半導體應用需求攀升，國際巨頭近年來也通過并購以及擴產(chǎn)來鞏固自身優(yōu)勢。據(jù)CASA Research不完全統(tǒng)計，2019年國際半導體領域共有包括英飛凌、羅姆、意法半導體等企業(yè)通過并購推進其在第三代半導體領域的布局，材料、器件及模組標的均有涉及，整體涉及金額超過100億美元。
2019年，還有6家國際巨頭提出多項擴產(chǎn)計劃項目，碳化硅的擴產(chǎn)占到八九成，其中最大的項目是科銳兩次宣布擴產(chǎn)計劃，投資近10億美元，滿足車規(guī)級標準的8英寸功率和射頻晶圓制造工廠。
于昆山介紹，我國第三代半導體產(chǎn)業(yè)正在加速推進產(chǎn)業(yè)化進程，碳化硅襯底4英寸導電和半絕緣襯底已經(jīng)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，4英寸半絕緣碳化硅襯底批量商用；6英寸導電襯底小批量供貨，8英寸襯底已研制出。用于電力電子器件的硅基氮化鎵外延基本實現(xiàn)6英寸產(chǎn)業(yè)化和8英寸材料的樣品研發(fā)，4英寸樣品實現(xiàn)綜合指標達國際先進水平，2-3英寸襯底小批量產(chǎn)業(yè)化。
不過，于昆山也坦承，產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)所需原材料仍然對國外依賴性較高，如襯底材料方面，出于國內(nèi)外技術(shù)指標、性價比對比考慮，對科銳、住友等的依賴仍然較高。
周貞宏介紹，高速發(fā)展的碳化硅材料市場由4家國際巨頭壟斷，國產(chǎn)碳化硅基材僅占全球市場的2.2%，擴產(chǎn)能需要時間同時需要投入巨資購買設備，當務之急如能把有限的晶體更有效地利用起來快速滿足客戶需求，將創(chuàng)造巨大價值。
來源：方正證券
據(jù)CSA產(chǎn)業(yè)研究院報告介紹，國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)包括：山東天岳、天科合達、世紀金光、揚杰科技、泰科天潤、三安集成等。國內(nèi)氮化鎵供應鏈企業(yè)包括：華功半導體，三安光電，華燦光電等。國內(nèi)碳化硅基氮化鎵供應鏈企業(yè)包括：英諾賽科、華為海思、士蘭微、海威華芯等。
第三代半導體SiC產(chǎn)業(yè)鏈分布圖
來源：方正證券
責任編輯：陳志杰
